东芝推出了150V N沟道功率MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管“TPH9R00CQH，适用于工业设备的开关电源，包括部署在数据中心和通信基站的设备。
TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%，后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的150V产品。新款MOSFET结构的优化改善了漏极-源极导通电阻之间的权衡（*2）和两个电荷特性（*3），实现了优异的低损耗特点。此外开关操作时漏极和源极之间的峰值电压也有所降低，有助于降低开关电源的电磁干扰(EMI)。
